总投资100亿!世界先进水平第三代半导体IDM产业基地落户福州

近日，总投资100亿的福建熔城半导体有限公司项目落户福州高新区生物医药和机电产业园，目标在2027年前发展成为世界最高先进水平的第三代半导体IDM产业基地，拥有完整的第三代半导体产业链，从材料研发和设计、制造、封装测试到模组及器件供应，形成垂直产业链协同优势。

据悉，该基地包括世界首个2μ载板级SIP封测及模组商用量产线和各类生产、研发、创新及相关配套设施，计划分三期建设。一期投资30亿元，预计年内开工，完成高端封测和模组制造基地建设。投产后，5年内将实现销售收入30亿元，缴纳税收6亿元；二期投资50亿元，完成第三代半导体外延片建设；三期投资20亿元，完成芯片制造基地建设。二、三期项目建成达产后，实现销售收入100亿元，缴纳税收20亿元。

项目建设完成后将为各类IC产品提供具有高性价比的先进封测和模组制造及整体解决方案服务，并将持续开发IGBTG通讯MCU汽车电子模组设计、仿真、工艺、测试等先进技术。通过两期建设，产业基地将从材料研发和设计、外延生长、芯片制造、封装测试到模组及器件供应等多角度全面形成第三代半导体产业链，预计到2025年在福州高新区内形成集群产业链协同优势。

据了解，福建熔城半导体有限公司主营业务为IC系统整体解决方案、模组制造、SIP先进封装，拥有世界先进的5μ载板级系统级封装（SIP）工业量产线，用于对接世界最先进10纳米芯片设计和制造，并已开发完成对接7纳米芯片制造的全套2μ载板级SIP工业量产技术和工艺。