埃赋隆半导体（Ampleon）今天宣布其参加即将在美国宾夕法尼亚州费城举办的IEEE MTT国际微波研讨会（IMS）的细节。
在B厅1449号埃赋隆半导体的展台上，该公司将展示最新的技术和解决方案。其中包括主打效率的新一代广播产品的推出、基于最新一代LDMOS的全套雷达产品组合，以及全球最高性能的射频能量应用用LDMOS晶体管和模块。此外，在效率、成本和尺寸方面提供最佳折中的移动宽带网络用创新解决方案，以及面向工业、医疗和科研市场使用、极端坚固耐用的大功率晶体管的最新创新技术也将进行展示。
埃赋隆半导体的工作人员将在活动期间发表一些技术论文，如下所示：
- 6月12日，星期二 - 上海开发团队负责人Levin Lin将会发表《Rugged Characterization of Bonding Wire Arrays in LDMOSFET-based Power Amplifiers（LDMOSFET功率放大器中键合线阵列的严格表征）》一文
- 6月13日，星期三 - 射频创新工程师Andre Prata将会发表《Optimized DPD Feedback Loop for m-MIMO sub-6 GHz Systems（针对m-MIMO 6GHz以下系统的优化DPD反馈环路）》一文
- 6月15日，星期五 – 先进概念暨系统事业部负责人Sergio Pires将会发表《Power Amplifier Implementation Challenges in Front-Ends for 5G mobile broadband（5G移动宽带前端中的功率放大器的实现挑战）》一文
- 6月15日，星期五 - 应用暨组合管理副总裁John Gajadharsing将会发表《Synthesis of Advanced Doherty Amplifier Combiners（高级Doherty放大器合路器的综合）》一文
以上演讲的时间和地点将在现场提供。请参阅会议日程了解更多详情。
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